
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.62464 | ¥13.62 |
| 10 | ¥12.164859 | ¥121.65 |
| 100 | ¥9.484418 | ¥948.44 |
| 500 | ¥7.834447 | ¥3917.22 |
| 1000 | ¥6.18517 | ¥6185.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 47 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD15N06S2L-64 SP001063644
单位重量 330 mg
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0IPD15N06S2L64ATMA2
型号:IPD15N06S2L64ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.62464 |
| 10+: | ¥12.164859 |
| 100+: | ¥9.484418 |
| 500+: | ¥7.834447 |
| 1000+: | ¥6.18517 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.62