搜索

TK7J90E,S1E

Toshiba(东芝)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
TK7J90E,S1E
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 18.496268 18.50
10 16.605539 166.06
100 13.344715 1334.47
500 10.963904 5481.95
1000 9.084408 9084.41

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 MOSVIII

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 900 V

漏极电流 7 A

漏源电阻 1.6 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 32 nC

耗散功率 200 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

上升时间 20 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 85 ns

典型接通延迟时间 55 ns

外形参数

高度 20 mm

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 4.600 g

TK7J90E,S1E 相关产品

TK7J90E,S1E品牌厂家:Toshiba ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购TK7J90E,S1E、查询TK7J90E,S1E代理商; TK7J90E,S1E价格批发咨询客服;这里拥有 TK7J90E,S1E中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到TK7J90E,S1E 替代型号 、TK7J90E,S1E 数据手册PDF

购物车

TK7J90E,S1E

锐单logo

型号:TK7J90E,S1E

品牌:Toshiba

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥18.496268
10+: ¥16.605539
100+: ¥13.344715
500+: ¥10.963904
1000+: ¥9.084408

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥18.50