
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.123585 | ¥15.12 |
| 10 | ¥13.577619 | ¥135.78 |
| 100 | ¥10.911387 | ¥1091.14 |
| 500 | ¥8.964702 | ¥4482.35 |
| 1000 | ¥7.427921 | ¥7427.92 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 55 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK7J90E,S1E
型号:TK7J90E,S1E
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.123585 |
| 10+: | ¥13.577619 |
| 100+: | ¥10.911387 |
| 500+: | ¥8.964702 |
| 1000+: | ¥7.427921 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.12