货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.496268 | ¥18.50 |
10 | ¥16.605539 | ¥166.06 |
100 | ¥13.344715 | ¥1334.47 |
500 | ¥10.963904 | ¥5481.95 |
1000 | ¥9.084408 | ¥9084.41 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 55 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK7J90E,S1E
型号:TK7J90E,S1E
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.496268 |
10+: | ¥16.605539 |
100+: | ¥13.344715 |
500+: | ¥10.963904 |
1000+: | ¥9.084408 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.50