货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥24.660068 | ¥24660.07 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.5 A
漏源电阻 445 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
下降时间 6.4 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 53.2 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R190CFD SP001977038
单位重量 324 mg
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0IPB65R190CFDATMA2
型号:IPB65R190CFDATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥24.660068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00