IRF6621TR1
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- 制造商编号：
- IRF6621TR1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：40
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 40 | ￥4.833165 | ￥193.33 |
| 50 | ￥4.639812 | ￥231.99 |
| 100 | ￥4.446624 | ￥444.66 |
| 300 | ￥4.253272 | ￥1275.98 |
| 500 | ￥4.059918 | ￥2029.96 |
| 1000 | ￥3.866565 | ￥3866.57 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6621TR1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.1mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1460pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
封装/外壳
DirectFET™ Isometric SQ
IRF6621TR1 同类别型号
注
IRF6621TR1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6621TR1
数据手册PDF。
IRF6621TR1
型号：IRF6621TR1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 40+： | ￥4.833165 |
| 50+： | ￥4.639812 |
| 100+： | ￥4.446624 |
| 300+： | ￥4.253272 |
| 500+： | ￥4.059918 |
| 1000+： | ￥3.866565 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00