BSC029N025S G
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSC029N025S G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.122724 | ￥17.12 |
| 10 | ￥12.482911 | ￥124.83 |
| 30 | ￥11.624299 | ￥348.73 |
| 100 | ￥10.782197 | ￥1078.22 |
| 500 | ￥10.402426 | ￥5201.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC029N025S G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5090pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC029N025S G 同类别型号
注
BSC029N025S G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSC029N025S G、查询BSC029N025S G代理商；
BSC029N025S G价格批发咨询客服；这里拥有
BSC029N025S G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSC029N025S G
替代型号
、BSC029N025S G
数据手册PDF
。
BSC029N025S G
型号：BSC029N025S G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.122724 |
| 10+： | ￥12.482911 |
| 30+： | ￥11.624299 |
| 100+： | ￥10.782197 |
| 500+： | ￥10.402426 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.12