货期:国内(1~3工作日)
起订量:25
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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25 | ¥151.270016 | ¥3781.75 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 10 g
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0IXFK170N20P
型号:IXFK170N20P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
25+: | ¥151.270016 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00