货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥5.605599 | ¥16816.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 205 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 38.7 nC
耗散功率 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 46 ns
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR5410TRRPBF SP001557118
单位重量 330 mg
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0IRFR5410TRRPBF
型号:IRFR5410TRRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.605599 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00