货期: 8周-10周
起订量:500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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500 | ¥42.575639 | ¥21287.82 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 211 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI041N12N3 G SP000652748
单位重量 2.387 g
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0IPI041N12N3GAKSA1
型号:IPI041N12N3GAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
500+: | ¥42.575639 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00