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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 190 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
零件号别名 FQH44N10_F133
单位重量 6 g
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0FQH44N10-F133
型号:FQH44N10-F133
品牌:ON
供货:锐单
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