SQP120P06-6M7L_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQP120P06-6M7L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：492
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.338228 | ￥35.34 |
| 10 | ￥31.754981 | ￥317.55 |
| 25 | ￥30.025138 | ￥750.63 |
| 100 | ￥24.02011 | ￥2402.01 |
| 250 | ￥22.685659 | ￥5671.41 |
| 500 | ￥21.351209 | ￥10675.60 |
| 1000 | ￥18.281972 | ￥18281.97 |
| 2500 | ￥18.015083 | ￥45037.71 |
| 5000 | ￥16.413742 | ￥82068.71 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SQP120P06-6M7L_GE3 同类别型号
注
SQP120P06-6M7L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQP120P06-6M7L_GE3
数据手册PDF。
SQP120P06-6M7L_GE3
型号：SQP120P06-6M7L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：492 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.338228 |
| 10+： | ￥31.754981 |
| 25+： | ￥30.025138 |
| 100+： | ￥24.02011 |
| 250+： | ￥22.685659 |
| 500+： | ￥21.351209 |
| 1000+： | ￥18.281972 |
| 2500+： | ￥18.015083 |
| 5000+： | ￥16.413742 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.34