
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥3.702731 | ¥9256.83 |
| 5000 | ¥3.526447 | ¥17632.24 |
| 12500 | ¥3.36364 | ¥42045.50 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 4.9 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 2.1 S
上升时间 56 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 360 mg
购物车
0FQD3P50TM
型号:FQD3P50TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥3.702731 |
| 5000+: | ¥3.526447 |
| 12500+: | ¥3.36364 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00