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SI7192DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7192DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 44.163331 44.16
10 39.6746 396.75
100 32.510005 3251.00
500 27.675496 13837.75
1000 23.340829 23340.83

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 1.9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 135 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7192DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7192DP-T1-GE3

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型号:SI7192DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥44.163331
10+: ¥39.6746
100+: ¥32.510005
500+: ¥27.675496
1000+: ¥23.340829

货期:7-10天

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