货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥186.743809 | ¥186.74 |
10 | ¥172.248215 | ¥1722.48 |
100 | ¥147.090549 | ¥14709.05 |
500 | ¥133.542513 | ¥66771.26 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 32 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 225 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 76 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 10 g
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0IXFK32N100P
型号:IXFK32N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥186.743809 |
10+: | ¥172.248215 |
100+: | ¥147.090549 |
500+: | ¥133.542513 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥186.74