STL12P6F6
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- 制造商编号：
- STL12P6F6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.151851 | ￥15.15 |
| 10 | ￥12.390533 | ￥123.91 |
| 100 | ￥9.632048 | ￥963.20 |
| 500 | ￥8.164442 | ￥4082.22 |
| 1000 | ￥6.650813 | ￥6650.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL12P6F6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
160mOhm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
340pF @ 48V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL12P6F6 同类别型号
注
STL12P6F6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STL12P6F6
数据手册PDF。
STL12P6F6
型号：STL12P6F6
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.151851 |
| 10+： | ￥12.390533 |
| 100+： | ￥9.632048 |
| 500+： | ￥8.164442 |
| 1000+： | ￥6.650813 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.15