货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥1.957527 | ¥9787.64 |
10000 | ¥1.86718 | ¥18671.80 |
25000 | ¥1.806948 | ¥45173.70 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.2 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC032NE2LS SP000854378
单位重量 117.820 mg
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0BSC032NE2LSATMA1
型号:BSC032NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥1.957527 |
10000+: | ¥1.86718 |
25000+: | ¥1.806948 |
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