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RQ3E100BNTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E100BNTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
渠道:
digikey

库存 :96281

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.093675 5.09
10 4.323412 43.23
100 3.001541 300.15
500 2.343338 1171.67
1000 1.904786 1904.79

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 13.5 A

漏源电阻 7.7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 22 nC

耗散功率 15 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 28 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 44 ns

典型接通延迟时间 10 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E100BN

单位重量 5.577 g

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RQ3E100BNTB

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型号:RQ3E100BNTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:96281 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.093675
10+: ¥4.323412
100+: ¥3.001541
500+: ¥2.343338
1000+: ¥1.904786

货期:7-10天

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