货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.093675 | ¥5.09 |
10 | ¥4.323412 | ¥43.23 |
100 | ¥3.001541 | ¥300.15 |
500 | ¥2.343338 | ¥1171.67 |
1000 | ¥1.904786 | ¥1904.79 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13.5 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E100BN
单位重量 5.577 g
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0RQ3E100BNTB
型号:RQ3E100BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.093675 |
10+: | ¥4.323412 |
100+: | ¥3.001541 |
500+: | ¥2.343338 |
1000+: | ¥1.904786 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.09