货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.925129 | ¥4.93 |
10 | ¥3.758651 | ¥37.59 |
30 | ¥3.542636 | ¥106.28 |
100 | ¥3.341023 | ¥334.10 |
500 | ¥3.240216 | ¥1620.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH5302TRPBF SP001575636
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5302TRPBF
型号:IRFH5302TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.925129 |
10+: | ¥3.758651 |
30+: | ¥3.542636 |
100+: | ¥3.341023 |
500+: | ¥3.240216 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.93