货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.093251 | ¥13.09 |
50 | ¥10.539347 | ¥526.97 |
100 | ¥8.671042 | ¥867.10 |
500 | ¥7.337256 | ¥3668.63 |
1000 | ¥6.225553 | ¥6225.55 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 620 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Silicon MOSFET
单位重量 2 g
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0TK10A50D(STA4,Q,M)
型号:TK10A50D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.093251 |
50+: | ¥10.539347 |
100+: | ¥8.671042 |
500+: | ¥7.337256 |
1000+: | ¥6.225553 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.09