货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.460718 | ¥12.46 |
10 | ¥10.230251 | ¥102.30 |
100 | ¥7.954924 | ¥795.49 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
购物车
0CSD23202W10T
型号:CSD23202W10T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.460718 |
10+: | ¥10.230251 |
100+: | ¥7.954924 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.46