货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.543232 | ¥21.54 |
50 | ¥17.061664 | ¥853.08 |
100 | ¥14.624901 | ¥1462.49 |
500 | ¥12.999863 | ¥6499.93 |
1000 | ¥11.131151 | ¥11131.15 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 151.2 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SUP60020E-GE3
型号:SUP60020E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.543232 |
50+: | ¥17.061664 |
100+: | ¥14.624901 |
500+: | ¥12.999863 |
1000+: | ¥11.131151 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.54