SUP60020E-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SUP60020E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V TO-220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.614953 | ￥17.61 |
| 50 | ￥13.950572 | ￥697.53 |
| 100 | ￥11.958138 | ￥1195.81 |
| 500 | ￥10.629416 | ￥5314.71 |
| 1000 | ￥9.101452 | ￥9101.45 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 151.2 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SUP60020E-GE3 同类别型号
注
SUP60020E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SUP60020E-GE3
数据手册PDF。
SUP60020E-GE3
型号：SUP60020E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.614953 |
| 50+： | ￥13.950572 |
| 100+： | ￥11.958138 |
| 500+： | ￥10.629416 |
| 1000+： | ￥9.101452 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.61