
货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥3.863372 | ¥7726.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 1.98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.5 ns
上升时间 12.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
产品种类 MOSFET
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT35M7LFV-7
型号:DMT35M7LFV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥3.863372 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00