货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.352268 | ¥23.35 |
10 | ¥20.99594 | ¥209.96 |
100 | ¥17.203306 | ¥1720.33 |
500 | ¥14.644686 | ¥7322.34 |
1000 | ¥12.865552 | ¥12865.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3207PBF SP001572410
单位重量 2 g
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0IRFB3207PBF
型号:IRFB3207PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.352268 |
10+: | ¥20.99594 |
100+: | ¥17.203306 |
500+: | ¥14.644686 |
1000+: | ¥12.865552 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.35