SIRA06DP-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIRA06DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：456
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.580108 | ￥14.58 |
| 10 | ￥12.98618 | ￥129.86 |
| 25 | ￥12.331312 | ￥308.28 |
| 100 | ￥9.247248 | ￥924.72 |
| 250 | ￥9.159768 | ￥2289.94 |
| 500 | ￥7.838662 | ￥3919.33 |
| 1000 | ￥6.385345 | ￥6385.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 2.05 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 105 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIRA06DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SIRA06DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIRA06DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIRA06DP-T1-GE3、查询SIRA06DP-T1-GE3代理商；
SIRA06DP-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIRA06DP-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIRA06DP-T1-GE3
替代型号
、SIRA06DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIRA06DP-T1-GE3
型号：SIRA06DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：456 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.580108 |
| 10+： | ￥12.98618 |
| 25+： | ￥12.331312 |
| 100+： | ￥9.247248 |
| 250+： | ￥9.159768 |
| 500+： | ￥7.838662 |
| 1000+： | ￥6.385345 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.58