
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.714861 | ¥5.71 |
| 10 | ¥4.429017 | ¥44.29 |
| 100 | ¥2.661699 | ¥266.17 |
| 500 | ¥2.463963 | ¥1231.98 |
| 1000 | ¥1.675456 | ¥1675.46 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.1 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0DMN3018SSS-13
型号:DMN3018SSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.714861 |
| 10+: | ¥4.429017 |
| 100+: | ¥2.661699 |
| 500+: | ¥2.463963 |
| 1000+: | ¥1.675456 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.71