SQM120P10_10M1LGE3
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- 制造商编号：
- SQM120P10_10M1LGE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 100V 120A TO263
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥52.818538 | ￥52.82 |
| 10 | ￥47.41289 | ￥474.13 |
| 100 | ￥38.847759 | ￥3884.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 8.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 190 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 200 ns
正向跨导（Min） 60 S
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SQM120P10_10M1LGE3 同类别型号
注
SQM120P10_10M1LGE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQM120P10_10M1LGE3
数据手册PDF。
SQM120P10_10M1LGE3
型号：SQM120P10_10M1LGE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥52.818538 |
| 10+： | ￥47.41289 |
| 100+： | ￥38.847759 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥52.82