SI2302ADS-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI2302ADS-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.658616 | ￥1975.85 |
| 6000 | ￥0.63128 | ￥3787.68 |
| 9000 | ￥0.568145 | ￥5113.31 |
| 30000 | ￥0.559748 | ￥16792.44 |
| 75000 | ￥0.526097 | ￥39457.28 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2302ADS-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
60mOhm @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302ADS-T1-E3 同类别型号
注
SI2302ADS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SI2302ADS-T1-E3
数据手册PDF。
SI2302ADS-T1-E3
型号：SI2302ADS-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.658616 |
| 6000+： | ￥0.63128 |
| 9000+： | ￥0.568145 |
| 30000+： | ￥0.559748 |
| 75000+： | ￥0.526097 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00