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起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥19.413576 | ¥19413.58 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 117 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 85 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB031NE7N3 G SP000641730
单位重量 4 g
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0IPB031NE7N3GATMA1
型号:IPB031NE7N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥19.413576 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00