货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.974407 | ¥21.97 |
10 | ¥19.718369 | ¥197.18 |
100 | ¥16.15705 | ¥1615.71 |
500 | ¥13.754514 | ¥6877.26 |
1000 | ¥11.600143 | ¥11600.14 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB15N60E-GE3
型号:SIHB15N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.974407 |
10+: | ¥19.718369 |
100+: | ¥16.15705 |
500+: | ¥13.754514 |
1000+: | ¥11.600143 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.97