IRF6706S2TR1PBF
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF6706S2TR1PBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.583825 | ￥15.58 |
| 10 | ￥13.373756 | ￥133.74 |
| 25 | ￥12.529395 | ￥313.23 |
| 100 | ￥11.313857 | ￥1131.39 |
| 250 | ￥11.220354 | ￥2805.09 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6706S2TR1PBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.8mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1810pF @ 13V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta), 26W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET S1
封装/外壳
DirectFET™ Isometric S1
IRF6706S2TR1PBF 同类别型号
注
IRF6706S2TR1PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IRF6706S2TR1PBF、查询IRF6706S2TR1PBF代理商；
IRF6706S2TR1PBF价格批发咨询客服；这里拥有
IRF6706S2TR1PBF中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IRF6706S2TR1PBF
替代型号
、IRF6706S2TR1PBF
数据手册PDF
。
IRF6706S2TR1PBF
型号：IRF6706S2TR1PBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.583825 |
| 10+： | ￥13.373756 |
| 25+： | ￥12.529395 |
| 100+： | ￥11.313857 |
| 250+： | ￥11.220354 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.58