货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.468063 | ¥13.47 |
10 | ¥11.86178 | ¥118.62 |
100 | ¥9.089089 | ¥908.91 |
500 | ¥7.185272 | ¥3592.64 |
1000 | ¥5.987728 | ¥5987.73 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD26N06S2L-35 SP001063630
单位重量 330 mg
购物车
0IPD26N06S2L35ATMA2
型号:IPD26N06S2L35ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.468063 |
10+: | ¥11.86178 |
100+: | ¥9.089089 |
500+: | ¥7.185272 |
1000+: | ¥5.987728 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.47