货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.836638 | ¥22.84 |
50 | ¥18.076572 | ¥903.83 |
100 | ¥15.493871 | ¥1549.39 |
500 | ¥13.77242 | ¥6886.21 |
1000 | ¥11.7927 | ¥11792.70 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 109 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP200N055T2
型号:IXTP200N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.836638 |
50+: | ¥18.076572 |
100+: | ¥15.493871 |
500+: | ¥13.77242 |
1000+: | ¥11.7927 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.84