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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 120 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPP2N6S5XK SP000681062 SPP20N60S5XKSA1
单位重量 2 g
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0SPP20N60S5
型号:SPP20N60S5
品牌:INFINEON
供货:锐单
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