SCTWA30N120
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- 制造商编号：
- SCTWA30N120
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- IC POWER MOSFET 1200V HIP247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥185.435549 | ￥185.44 |
| 10 | ￥170.999781 | ￥1710.00 |
| 25 | ￥163.312018 | ￥4082.80 |
| 100 | ￥146.021279 | ￥14602.13 |
| 250 | ￥139.296329 | ￥34824.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTWA30N120
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
包装
-
系列
*
零件状态
Active
FET 类型
-
技术
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漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
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工作温度
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安装类型
-
供应商器件封装
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封装/外壳
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注
SCTWA30N120品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCTWA30N120
数据手册PDF。
SCTWA30N120
型号：SCTWA30N120
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥185.435549 |
| 10+： | ￥170.999781 |
| 25+： | ￥163.312018 |
| 100+： | ￥146.021279 |
| 250+： | ￥139.296329 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥185.44