商品描述
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
26mOhm @ 50A, 18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
162nC @ 18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3315pF @ 520V
封装/外壳
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA