货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.24016 | ¥24.24 |
10 | ¥21.75894 | ¥217.59 |
25 | ¥20.570528 | ¥514.26 |
100 | ¥17.828315 | ¥1782.83 |
500 | ¥15.177201 | ¥7588.60 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 158 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 34 ns
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP23N60E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP23N60E-GE3
型号:SIHP23N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.24016 |
10+: | ¥21.75894 |
25+: | ¥20.570528 |
100+: | ¥17.828315 |
500+: | ¥15.177201 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.24