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SIHP23N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHP23N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.820113 19.82
10 17.791328 177.91
25 16.819616 420.49
100 14.577429 1457.74
500 12.409729 6204.86

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 23 A

漏源电阻 158 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 63 nC

耗散功率 227 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 34 ns

上升时间 38 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 66 ns

典型接通延迟时间 22 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIHP23N60E-BE3

单位重量 2 g

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SIHP23N60E-GE3

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型号:SIHP23N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.820113
10+: ¥17.791328
25+: ¥16.819616
100+: ¥14.577429
500+: ¥12.409729

货期:1-2天

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