货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥38.303674 | ¥38.30 |
10 | ¥34.374458 | ¥343.74 |
25 | ¥32.501285 | ¥812.53 |
100 | ¥25.999546 | ¥2599.95 |
250 | ¥24.555373 | ¥6138.84 |
500 | ¥23.110706 | ¥11555.35 |
1000 | ¥19.788542 | ¥19788.54 |
2500 | ¥19.499659 | ¥48749.15 |
5000 | ¥17.766356 | ¥88831.78 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP180N60E-GE3
型号:SIHP180N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥38.303674 |
10+: | ¥34.374458 |
25+: | ¥32.501285 |
100+: | ¥25.999546 |
250+: | ¥24.555373 |
500+: | ¥23.110706 |
1000+: | ¥19.788542 |
2500+: | ¥19.499659 |
5000+: | ¥17.766356 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥38.30