
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥43.918052 | ¥43.92 |
| 10 | ¥39.41291 | ¥394.13 |
| 25 | ¥37.265176 | ¥931.63 |
| 100 | ¥29.81044 | ¥2981.04 |
| 250 | ¥28.154589 | ¥7038.65 |
| 500 | ¥26.498169 | ¥13249.08 |
| 1000 | ¥22.689057 | ¥22689.06 |
| 2500 | ¥22.357831 | ¥55894.58 |
| 5000 | ¥20.370468 | ¥101852.34 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP180N60E-GE3
型号:SIHP180N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥43.918052 |
| 10+: | ¥39.41291 |
| 25+: | ¥37.265176 |
| 100+: | ¥29.81044 |
| 250+: | ¥28.154589 |
| 500+: | ¥26.498169 |
| 1000+: | ¥22.689057 |
| 2500+: | ¥22.357831 |
| 5000+: | ¥20.370468 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.92