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SIHP180N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHP180N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH TO-220AB
渠道:
digikey

库存 :1049

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 38.303674 38.30
10 34.374458 343.74
25 32.501285 812.53
100 25.999546 2599.95
250 24.555373 6138.84
500 23.110706 11555.35
1000 19.788542 19788.54
2500 19.499659 48749.15
5000 17.766356 88831.78

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 19 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 22 nC

耗散功率 156 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 23 ns

正向跨导(Min) 5.3 S

上升时间 49 ns

晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET

典型关闭延迟时间 22 ns

典型接通延迟时间 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHP180N60E-GE3

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型号:SIHP180N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1049 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥38.303674
10+: ¥34.374458
25+: ¥32.501285
100+: ¥25.999546
250+: ¥24.555373
500+: ¥23.110706
1000+: ¥19.788542
2500+: ¥19.499659
5000+: ¥17.766356

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