
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.858865 | ¥16.86 |
| 10 | ¥15.045475 | ¥150.45 |
| 25 | ¥14.28045 | ¥357.01 |
| 100 | ¥10.710338 | ¥1071.03 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 133 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 20 W
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSD100N10
单位重量 330 mg
购物车
0RSD100N10TL
型号:RSD100N10TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.858865 |
| 10+: | ¥15.045475 |
| 25+: | ¥14.28045 |
| 100+: | ¥10.710338 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.86