货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.176727 | ¥25.18 |
10 | ¥22.604884 | ¥226.05 |
100 | ¥18.51852 | ¥1851.85 |
500 | ¥15.764448 | ¥7882.22 |
1000 | ¥13.295337 | ¥13295.34 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 242 A
漏源电阻 1.96 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 245 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 56 ns
正向跨导(Min) 185 S
上升时间 71 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 111 ns
典型接通延迟时间 41 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP023N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP023N08B-F102
型号:FDP023N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.176727 |
10+: | ¥22.604884 |
100+: | ¥18.51852 |
500+: | ¥15.764448 |
1000+: | ¥13.295337 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥25.18