货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.779708 | ¥17.78 |
10 | ¥15.881603 | ¥158.82 |
100 | ¥12.379722 | ¥1237.97 |
500 | ¥10.226455 | ¥5113.23 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.7 A
漏源电阻 101 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 81.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPB18P06P G SP000102181
单位重量 4 g
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0SPB18P06PGATMA1
型号:SPB18P06PGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.779708 |
10+: | ¥15.881603 |
100+: | ¥12.379722 |
500+: | ¥10.226455 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.78