
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.6804 | ¥19.68 |
| 10 | ¥17.61735 | ¥176.17 |
| 100 | ¥13.731489 | ¥1373.15 |
| 500 | ¥11.344053 | ¥5672.03 |
| 1000 | ¥8.955804 | ¥8955.80 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.6 A
漏源电阻 530 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD8P10TM_F085
单位重量 330 mg
购物车
0FQD8P10TM-F085
型号:FQD8P10TM-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.6804 |
| 10+: | ¥17.61735 |
| 100+: | ¥13.731489 |
| 500+: | ¥11.344053 |
| 1000+: | ¥8.955804 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.68