货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥124.672246 | ¥124.67 |
10 | ¥112.662196 | ¥1126.62 |
100 | ¥93.26942 | ¥9326.94 |
500 | ¥81.217604 | ¥40608.80 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 190 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
晶体管类型 75 V
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM190N08CZ
单位重量 2 g
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0TSM190N08CZ C0G
型号:TSM190N08CZ C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥124.672246 |
10+: | ¥112.662196 |
100+: | ¥93.26942 |
500+: | ¥81.217604 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥124.67