货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.035874 | ¥37.04 |
10 | ¥33.271449 | ¥332.71 |
100 | ¥27.261037 | ¥2726.10 |
500 | ¥23.206558 | ¥11603.28 |
1000 | ¥19.571759 | ¥19571.76 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 8 A
漏源电阻 1.45 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 225 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 122 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FQH8N100C
型号:FQH8N100C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.035874 |
10+: | ¥33.271449 |
100+: | ¥27.261037 |
500+: | ¥23.206558 |
1000+: | ¥19.571759 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.04