STFW1N105K3
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- 制造商编号：
- STFW1N105K3
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
- 渠道：
- digikey
库存 ：600
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥44.627762 | ￥44.63 |
| 10 | ￥40.122483 | ￥401.22 |
| 25 | ￥37.935014 | ￥948.38 |
| 100 | ￥30.346879 | ￥3034.69 |
| 250 | ￥28.660941 | ￥7165.24 |
| 500 | ￥26.975003 | ￥13487.50 |
| 1000 | ￥23.097347 | ￥23097.35 |
| 2500 | ￥22.760159 | ￥56900.40 |
| 5000 | ￥20.737033 | ￥103685.17 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STFW1N105K3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1050V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11Ohm @ 600mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
180pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ISOWATT-218FX
封装/外壳
ISOWATT218FX
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注
STFW1N105K3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STFW1N105K3
数据手册PDF。
STFW1N105K3
型号：STFW1N105K3
品牌：ST
供货：锐单
库存：600 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥44.627762 |
| 10+： | ￥40.122483 |
| 25+： | ￥37.935014 |
| 100+： | ￥30.346879 |
| 250+： | ￥28.660941 |
| 500+： | ￥26.975003 |
| 1000+： | ￥23.097347 |
| 2500+： | ￥22.760159 |
| 5000+： | ￥20.737033 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥44.63