货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.242294 | ¥26.24 |
10 | ¥23.589462 | ¥235.89 |
100 | ¥19.325626 | ¥1932.56 |
500 | ¥16.451558 | ¥8225.78 |
1000 | ¥13.874808 | ¥13874.81 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK17N65W,S1F
型号:TK17N65W,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.242294 |
10+: | ¥23.589462 |
100+: | ¥19.325626 |
500+: | ¥16.451558 |
1000+: | ¥13.874808 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.24