
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.457169 | ¥21.46 |
| 10 | ¥19.288066 | ¥192.88 |
| 100 | ¥15.801714 | ¥1580.17 |
| 500 | ¥13.451716 | ¥6725.86 |
| 1000 | ¥11.34482 | ¥11344.82 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK17N65W,S1F
型号:TK17N65W,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.457169 |
| 10+: | ¥19.288066 |
| 100+: | ¥15.801714 |
| 500+: | ¥13.451716 |
| 1000+: | ¥11.34482 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.46