货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥332.681108 | ¥332.68 |
10 | ¥306.813894 | ¥3068.14 |
100 | ¥262.003738 | ¥26200.37 |
500 | ¥237.871304 | ¥118935.65 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 20 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 193 nC
耗散功率 780 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 49 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFX20N120P
型号:IXFX20N120P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥332.681108 |
10+: | ¥306.813894 |
100+: | ¥262.003738 |
500+: | ¥237.871304 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥332.68