
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.618817 | ¥26.62 |
| 10 | ¥16.90448 | ¥169.04 |
| 100 | ¥11.354302 | ¥1135.43 |
| 500 | ¥8.973907 | ¥4486.95 |
| 1000 | ¥8.207776 | ¥8207.78 |
| 2000 | ¥7.563569 | ¥15127.14 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 82 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC026NE2LS5 SP001212432
单位重量 117.680 mg
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0BSC026NE2LS5ATMA1
型号:BSC026NE2LS5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.618817 |
| 10+: | ¥16.90448 |
| 100+: | ¥11.354302 |
| 500+: | ¥8.973907 |
| 1000+: | ¥8.207776 |
| 2000+: | ¥7.563569 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.62