
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥45.051422 | ¥45.05 |
| 10 | ¥40.461277 | ¥404.61 |
| 25 | ¥38.251207 | ¥956.28 |
| 100 | ¥30.600966 | ¥3060.10 |
| 250 | ¥28.900912 | ¥7225.23 |
| 500 | ¥27.200858 | ¥13600.43 |
| 1000 | ¥23.290734 | ¥23290.73 |
| 2500 | ¥22.950725 | ¥57376.81 |
| 5000 | ¥20.91066 | ¥104553.30 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 330 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 190 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 83 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SQP120N06-3M5L_GE3
型号:SQP120N06-3M5L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥45.051422 |
| 10+: | ¥40.461277 |
| 25+: | ¥38.251207 |
| 100+: | ¥30.600966 |
| 250+: | ¥28.900912 |
| 500+: | ¥27.200858 |
| 1000+: | ¥23.290734 |
| 2500+: | ¥22.950725 |
| 5000+: | ¥20.91066 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥45.05