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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.676819 | ¥6.68 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 30.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCPF650N80Z
型号:FCPF650N80Z
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.676819 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.68