
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥31.734727 | ¥31.73 |
| 30 | ¥25.147883 | ¥754.44 |
| 120 | ¥21.555607 | ¥2586.67 |
| 510 | ¥19.160638 | ¥9771.93 |
| 1020 | ¥16.406323 | ¥16734.45 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 8.5 mOhms
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 g
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0IXTQ130N10T
型号:IXTQ130N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥31.734727 |
| 30+: | ¥25.147883 |
| 120+: | ¥21.555607 |
| 510+: | ¥19.160638 |
| 1020+: | ¥16.406323 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥31.73