货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.486858 | ¥6217.14 |
5000 | ¥2.315322 | ¥11576.61 |
12500 | ¥2.237021 | ¥27962.76 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 3.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 18.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R3K3C6 SP001117718
单位重量 330 mg
购物车
0IPD60R3K3C6ATMA1
型号:IPD60R3K3C6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.486858 |
5000+: | ¥2.315322 |
12500+: | ¥2.237021 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00